DANH MỤC

Ảnh ngẫu nhiên

TextAloud_Beta43.flv Cach_mang_thang_TamQuoc_khanh_va_nhung_ngay_dau_doc_lap.flv Chien_dich_Ho_Chi_Minh.flv HD_thu_bangPowerpoint_00_00_2200_02_50.flv Bat_cheo_1.flv ADN21.flv NHANDOINST1.flv Bat_cheo_3.flv Bat_cheo_2b.flv Bat_cheo_2a.flv Cc_saoma1.flv Btap_nst.flv Bat_cheo_4.flv CC_su_bat_thu.flv Ccsaoma2.flv Ccsaoma3.flv Ccsaoma41.flv Ccsaoma5.flv Copy_of_GPhan5.flv Phim_tim_hieu_Protein1.flv

Sắp xếp dữ liệu

BộThống kê violet

  • truy cập   (chi tiết)
    trong hôm nay
  • lượt xem
    trong hôm nay
  • thành viên
  • Hỗ trợ trực tuyến

    • (Blog Hóa học)

    Tài nguyên dạy học

    CẢNH ĐẸP

    Gốc > Bài viết > Giới thiệu các nguyên tố >

    Các nhà nghiên cứu ở Nhật Bản vừa chế tạo thành công tranzito

    Tranzito fullereneTranzito fullerene
    Các nhà nghiên cứu ở Nhật Bản vừa chế tạo thành công tranzito với màng mỏng kênh “n” hữu cơ từ fullerene (hay còn gọi là quả cầu bucky-một phân tử được tạo ra bởi 60 nguyên tử cacbon) và titanium silicon dioxide (TiSiO2) trên đế plastic. Mặc dù transistor này còn chưa thực sự ổn định trong môi trường không khí, nhưng tính đến thời điểm hiện tại đây là linh kiện tốt nhất xét trên phương diện hiệu năng và khả năng làm việc ở điện áp thấp, không giống như các linh kiện trước đây. Nếu được làm ổn định, chúng có thể được sử dụng rộng rãi trong nhiều ứng dụng điện tử, kể cả các mạch logic hữu cơ phức hợp, ví dụ như SRAM (Static Random Access Memory-bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh).

    Hầu hết các nghiên cứu về tranzito màng mỏng hữu cơ đều đang tập trung vào việc tạo ra các tranzito kênh dẫn p, bởi các kênh dẫn n bị giảm chất lượng do độ linh động hiệu ứng trường - xảy ra khi sử dụng điện áp điều khiển cao. Tuy nhiên, các mạch logic hữu cơ, ví dụ như mạch chuyển bù, NOR và cổng NAND, lại đòi hỏi cả các tranzito kênh dẫn p và n. Sẽ không gì thực tế hơn nếu tạo ra một linh kiện chỉ đòi hỏi điện áp hoạt động thấp dưới 15 V trong khi mà hầu hết các tranzito hữu cơ trước đây đều cần một điện áp cao hơn 20 V.

     

    Jongho Na (trường Đại học Tokyo, Nhật Bản) cùng các đồng nghiệp đã giải quyết được vấn đề này bằng cách sử dụng cổng điện môi có hằng số điện môi cao là TiSiO2 để giảm hiệu điện thế hoạt động xuống từ 2-5 V. Dải điện áp này là rất tuyệt vời cho một linh kiện thực. Tranzito mới này cũng có hiệu năng cao trong dải điện áp này, với tỉ số đóng mở là 105, hiệu điện thế ngưỡng là 1,13 V. "Những giá trị này có thể so sánh với Si vô định hình chuẩn và các transistor kênh dẫn p hữu cơ khác, và là hiệu năng tốt nhất trong thế giới transistor kênh dẫn n hữu cơ đã từng được công bố" - Na bổ sung.

     

    Na và các cộng sự đã chế tạo linh kiện này trên đế polyme dẻo sử dụng quá trình chắn mặt nạ đơn giản. Cổng TiSiO­2 cách điện và các điện cực cổng Ti-Si được tạo ra bằng kỹ thuật phún xạ cao tần (Sputtering), còn màng hữu cơ và các điện cực nguồn/máng (Source/Drain) được tạo ra bằng kỹ thuật kết tủa trong chân không.

    NACESTI (Theo Electronics)

     


    Nhắn tin cho tác giả
    Nguyễn Minh Chiến @ 11:06 12/01/2009
    Số lượt xem: 768
    Số lượt thích: 0 người
     
    Gửi ý kiến